過去一個月，全球媒體一直在猜測華為新的芯片組制造專利，今年可能會有很多專利，例如最新的12nm和14nm芯片組。

據知名微博爆料者透露，12nm和14nm芯片組的首次量產正在籌備中。爆料者透露，其中的某組芯片已經在內部使用。

鑒于線人提供的華為信息，這些12nm和14nm芯片組可能由中國大陸晶圓廠制造。

這是一個振奮人心的消息，無論是對華為還是對中國半導體產業(yè)，都將從中受益。

華為擁有最大的智能可穿戴產品組合，有很多設備可以使用這種類型的半導體芯片。

得益于子公司海思（HiSilicon）多年的研究，華為擁有最先進的芯片設計技術。

爆料者評論說，高級芯片組的工作正在進行中，我們必須等到 2024 年才能匹配到移動應用處理器制程節(jié)點，今年肯定不會出現高級芯片組。

麒麟芯片庫存耗盡

目前，華為的麒麟芯片庫存已經用完，該公司只能依靠高通為智能手機提供新芯片。

這種情況起源于美國禁令之后，從那時起，華為就無法通過臺積電等晶圓代工廠生產先進制程芯片。

但華為正在重塑其供應鏈，并試圖將新的合作伙伴聚集在一起，以解決當前的手機芯片問題。

知情人士透露，為加快芯片生產，華為正在與同樣被美國政府列入黑名單的本土芯片制造商合作，甚至重新設計部分核心芯片，如此華為就能以較成熟技術生產芯片。

消息人士說，華為不是從零開始建立自己的芯片工廠，而是在政府支持下，派員工協(xié)助當地幾家芯片制造商融資、采購及營運。知情人士表示，其目的是建立不會被美國干預的生產線。

雖然美國已授予出口許可，允許美企向華為提供一些沒那么敏感的芯片，但該公司仍坦承受美國制裁影響，并表示需要許多耐心修補供應鏈弱點。

消息人士透露，華為的優(yōu)先事項，是生產用于電信設備與汽車業(yè)務的芯片，縱然一開始芯片比不上愛立信、三星電子等競爭對手。

華為聚焦于電信設備芯片，部分原因是這些芯片的技術要求，比智能手機等消費者設備低。這些芯片通常不需要那么小或節(jié)能，且數量小很多。

四名知情人士表示，華為也與深圳等地幾家規(guī)模較小芯片廠聯(lián)手。目前，公開紀錄并未顯示華為已投資這幾家公司。

兩名消息人士說，華為現在的目標，是將一些存儲芯片產線，改成可生產處理器和其它邏輯芯片的產線。

技術自給自足又進一步

光刻機是芯片制造中使用的最復雜和最昂貴的機器之一。華為已經為 EUV 光刻系統(tǒng)中使用的一種組件申請了專利，該系統(tǒng)需要在亞 10nm制程節(jié)點上制造高端處理器，它解決了紫外線產生的干涉圖案問題，否則會使晶圓不均勻。

華為解決了芯片制造最后一步由極紫外（EUV）光的微小波長引起的問題。它的專利描述了一組鏡子，這些鏡子將光束分成多個子光束，這些子光束與它們自己的微鏡發(fā)生碰撞。這些鏡子中的每一個都以不同的方式旋轉以在光線中產生不同的干涉圖案，因此當它們重新組合時，干涉圖案相互抵消以產生一束均勻的光束。

EUV 光刻系統(tǒng)目前由荷蘭公司 ASML 獨家制造。EUV 光刻依賴于與舊形式光刻相同的原理，但使用波長約為 13.5 nm 的光。

ASML需要超過 60 億歐元和 17 年的時間來開發(fā)第一批可以銷售的 EUV 光刻機。但在它們完成之前，美國政府向荷蘭政府施壓，要求其禁止向中國出口，限制該國使用較舊的 DUV（深紫外線）技術。目前，只有五家公司正在使用或已宣布計劃使用 ASML EUV 光刻系統(tǒng)：美國的英特爾和美光，韓國的三星和 SK 海力士，以及臺積電。

像華為這樣的中國公司以前能夠將他們的設計發(fā)送到像臺積電這樣的晶圓廠，以使用 EUV 光刻進行制造，但自從美國對中國實施制裁以來，這種可能性越來越小。華為需要訪問使用 EUV 光刻的高級節(jié)點，以繼續(xù)改進其定制處理器，這些處理器面向從智能手機到數據中心的所有領域。不過，華為在制造自己的 EUV 系統(tǒng)之前還有很長的路要走。