目前，全球進(jìn)及10nm及以下的芯片廠商就三家，分別是臺(tái)積電、三星、intel。

其中臺(tái)積電、三星以晶圓代工為主，而intel是IDM廠商，之前主要為自己造芯。不過(guò)去年intel換了CEO后，提出了一個(gè)IDM2．0計(jì)劃，那就是也對(duì)外代工，與三星、intel爭(zhēng)市場(chǎng)。

不過(guò)從現(xiàn)在的情況來(lái)看，intel的這個(gè)IDM2．0計(jì)劃，那是雷聲大，雨點(diǎn)小，看起來(lái)就像是“紙老虎”。

intel的雷聲有多大？英特爾目前僅能生產(chǎn)7nm芯片，并且這個(gè)產(chǎn)能還很小，但表示要3年搞出4代工藝革新。

如下圖所示，intel到2023年要實(shí)現(xiàn)intel3工藝，相當(dāng)于臺(tái)積電的3nm，到2024年要實(shí)現(xiàn)intel20A工藝，相當(dāng)于臺(tái)積電、三星的2nm，這是直接就超過(guò)臺(tái)積電、三星了。

而到2024年，intel還要搞定intel18A工藝，也就是18埃米，1．8nm，比三星、臺(tái)積電還要領(lǐng)先了。

除了工藝制程外，從Intel 3nm開(kāi)始，intel還要采用全新的RibbonFET晶體管取代當(dāng)前的FiFET，引入革命性的PowerVias背面供電技術(shù)。

而這個(gè)所謂的RibbonFET其實(shí)是對(duì)GAAFET（環(huán)繞柵極）晶體管的改進(jìn)，后者已被三星3nm首發(fā)，intel意思是，我在3nm時(shí)，技術(shù)比三星的這個(gè)還要更牛。

口號(hào)是這樣喊出去了，但是，目前intel的代工業(yè)務(wù)，表現(xiàn)卻不那么給力，進(jìn)展也不那么順利，intel4都不知道什么時(shí)候能夠?qū)崿F(xiàn)。

至于明年搞定intel3工藝，業(yè)內(nèi)基本上沒(méi)什么人看好，要知道英特爾當(dāng)年的14nm工藝都打磨了5年，才進(jìn)入10nm，而7nm一再跳票，也折騰了兩年。

現(xiàn)在說(shuō)3年要搞出4代工藝革新，率先進(jìn)入2nm、1．8nm，很多人認(rèn)為不可能，甚至有人認(rèn)為在代工領(lǐng)域，intel就是個(gè)“紙老虎”，不可能與臺(tái)積電、三星等去PK。

不過(guò)也有人說(shuō)了，intel之前工藝進(jìn)展慢，是因?yàn)閕ntel工藝不造假，一切按照摩爾定律來(lái)，晶體管密度，遠(yuǎn)比臺(tái)積電、三星更高。如果intel也學(xué)臺(tái)積電、三星一樣，開(kāi)始工藝摻水，那還是很容易搞定的，不就是虛標(biāo)數(shù)字嘛。

那么問(wèn)題來(lái)了，intel在2024年能實(shí)現(xiàn)20A、18A工藝么？估計(jì)臺(tái)積電、三星也都在等這個(gè)答案。