說起存儲芯片，大家肯定會知道三星、美光、SK海力士、鎧俠這幾大巨頭，因為全球不管是DRAM芯片，還是NAND芯片，基本上都是被這幾大巨頭壟斷的。

以往國內(nèi)的廠商們，需要存儲芯片，都要從這幾大巨頭那去采購，每年花費巨額的外匯，以2021年為例，進(jìn)口存儲芯片的金額超過了1000億美元。

也正因為如此，所以國內(nèi)一直在發(fā)力存儲芯片領(lǐng)域，以期提高自給率，降低對外依賴，建立了好幾大存儲芯片基地。

其中長江存儲就專注于生產(chǎn)NAND芯片，成立于2016年，但直到2017年才推出第一代產(chǎn)品，還是落后的32層堆疊的技術(shù)，此時三星、美光等都達(dá)到96層的水平了，中間還隔了一個64層，可以說三星、美光等巨頭領(lǐng)先至少兩代。

這里要稍微解釋一下，為何在NAND芯片上，會提到“XX層堆疊”這個名詞，不是芯片工藝中最常見的XXnm了。

邏輯芯片等產(chǎn)品，提升芯片性能是通過微縮工藝來實現(xiàn)的，比如7nm、5nm、3nm等，工藝制程越小，技術(shù)越先進(jìn)。

但在NAND領(lǐng)域，則不能這么干，因為研究實驗發(fā)現(xiàn)，當(dāng)進(jìn)入到20nm以下時，單純的提升NAND芯片的工藝，還可能會導(dǎo)致可靠性大幅度下降，而存儲芯片需要穩(wěn)定可靠。

所以NAND閃存芯片，不能靠平面的這種微縮工藝，而是通過立體方式來實現(xiàn)，即將晶體管上下堆疊在一起，也就有了層數(shù)，層數(shù)越大，存儲密度越高，性能越強(qiáng)，也代表技術(shù)越先進(jìn)。

三星的立體工藝叫做V-NAND ，東芝和閃迪則是 BiCS，而長江存儲的叫做Xtacking 技術(shù)，這些工藝都是怎么實現(xiàn)立體的堆疊的技術(shù)。

從全球的技術(shù)情況來看，今年上半年美光發(fā)布了232層堆疊的NAND閃存，但其實還沒有大規(guī)模量產(chǎn)，還只是PPT閃存，而三星、SK海力士等，其232層堆疊的NAND閃存，也沒有量產(chǎn)，預(yù)計會在2023年實現(xiàn)，也就是說目前世界巨頭們最先進(jìn)的技術(shù)，其實還沒到232層堆疊。

但是長江存儲的232層NAND閃存，卻已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)，用于實際的SSD產(chǎn)品中了。據(jù) TechInsights 的說法，他們拆解了?？低暤?CC700 2TB 的固態(tài)硬盤，發(fā)現(xiàn)其中使用的就是長江存儲的 232 層的 3D NAND閃存，這可是全球第一個，是領(lǐng)先于美光、三星、SK海力士等巨頭的。

大家想一想，長江存儲才成立6年時間，就逆襲了，實現(xiàn)了對三星、美光等巨頭的反超，是不是一件特別值得驕傲的事情？

不過大家也要清醒的認(rèn)識到，雖然技術(shù)上實現(xiàn)了反超，但當(dāng)前長江存儲的產(chǎn)能并不大，按照2021年的數(shù)據(jù)，長江存儲在全球的份額還不到5%，而機(jī)構(gòu)預(yù)測2022年份額可能會達(dá)到7.5%左右，所以雖然技術(shù)反超了，但在產(chǎn)量上還要多努力，才能真正大規(guī)模實現(xiàn)國產(chǎn)替代，減少對外進(jìn)口和依賴啊。