近年來(lái)，ASML站到了世界半導(dǎo)體技術(shù)的中心位置。去年ASML兩次提高了生產(chǎn)目標(biāo)，希望到2025年，其年出貨量能達(dá)到約600臺(tái)DUV（深紫外光）光刻機(jī)以及90臺(tái)EUV（極紫外光）光刻機(jī)。由于持續(xù)的芯片短缺，交付問(wèn)題每天都在發(fā)生，而且ASML還遇到了柏林工廠火災(zāi)這樣的意外。

日前，ASML的首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink接受了Bits & Chips的采訪。

據(jù)Martin van den Brink介紹，開(kāi)發(fā)High-NA EUV技術(shù)的最大挑戰(zhàn)是為EUV光學(xué)器件構(gòu)建計(jì)量工具，配備的反射鏡尺寸為此前產(chǎn)品的兩倍，同時(shí)需要將其平整度控制在20皮米內(nèi)。這種需要在一個(gè)“可以容納半個(gè)公司”的真空容器中進(jìn)行驗(yàn)證，其位于蔡司公司，這是ASML推進(jìn)High-NA EUV技術(shù)的關(guān)鍵光學(xué)合作伙伴，是后來(lái)加入的。

目前ASML有序地執(zhí)行其路線圖，且進(jìn)展順利，在EUV之后是High-NA EUV技術(shù)，ASML正在為客戶交付首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)做準(zhǔn)備，大概會(huì)在明年某個(gè)時(shí)間點(diǎn)完成。雖然供應(yīng)鏈問(wèn)題仍可能打亂ASML的時(shí)間表，不過(guò)應(yīng)該問(wèn)題不大。High-NA EUV光刻機(jī)會(huì)比現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因?yàn)楣庠矗琀igh-NA使用了相同的光源需要額外0.5兆瓦，ASML還使用水冷銅線為其供電。

外界還想知道，High-NA EUV技術(shù)之后的繼任者。ASML技術(shù)副總裁Jos Benschop在去年SPIE高級(jí)光刻會(huì)議上透露了可能的替代方案，即降低波長(zhǎng)。不過(guò)這種方案需要解決一些問(wèn)題，因?yàn)镋UV反射鏡反射光的效率很大程度上取決于入射角，而波長(zhǎng)的降低會(huì)改變角度范圍，使得透鏡必須變得太大而無(wú)法補(bǔ)償，這種現(xiàn)象也會(huì)隨著數(shù)值孔徑的增加而出現(xiàn)。

Martin van den Brink證實(shí)，ASML正在對(duì)此進(jìn)行研究，不過(guò)個(gè)人而言，懷疑Hyper-NA將是最后一個(gè)NA，而且不一定能真正投入生產(chǎn)，這意味經(jīng)過(guò)數(shù)十年的光刻技術(shù)創(chuàng)新，我們可能會(huì)走到當(dāng)前半導(dǎo)體光刻技術(shù)之路的盡頭。ASML進(jìn)行Hyper-NA研究計(jì)劃的主要目標(biāo)是提出智能解決方案，使技術(shù)在成本和可制造性方面保持可控。

High-NA EUV系統(tǒng)將提供0.55數(shù)值孔徑，與此前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比，精度會(huì)有所提高，可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化，以實(shí)現(xiàn)更小的晶體管特征。到了hyper-NA系統(tǒng)，會(huì)高于0.7，甚至達(dá)到0.75，理論上是可以做到的。

Martin van den Brink不希望制造更為龐大的“怪物”，預(yù)計(jì)hyper-NA可能是接下來(lái)半導(dǎo)體光刻技術(shù)發(fā)展會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題的地方，其制造和使用成本都會(huì)高得驚人。如果采用Hyper-NA技術(shù)的制造成本增長(zhǎng)速度和目前High-NA EUV技術(shù)一樣，那么經(jīng)濟(jì)層面幾乎是不可行的。就目前而言，Martin van den Brink希望可以克服的是成本問(wèn)題。

由于可能存在無(wú)法克服的成本限制，晶體管縮小速度正在放緩。多虧了系統(tǒng)集成的發(fā)展，繼續(xù)開(kāi)發(fā)新一代芯片仍然是值得的，這是個(gè)好消息。在這點(diǎn)上，問(wèn)題變得非常現(xiàn)實(shí)：哪些芯片結(jié)構(gòu)太小，無(wú)法經(jīng)濟(jì)地制造?