聯(lián)電拿下德州儀器、英飛凌新認(rèn)證,已完成八大車(chē)用芯片領(lǐng)域關(guān)鍵認(rèn)證
關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 德州儀器 英飛凌 車(chē)用芯片
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,晶圓代工大廠聯(lián)電在車(chē)用領(lǐng)域布局獲得重大成果,近期再拿下德州儀器、英飛凌等車(chē)用芯片大廠新認(rèn)證,八大關(guān)鍵領(lǐng)域車(chē)用認(rèn)證都已到手,可通吃全球一線車(chē)廠芯片大單。

聯(lián)電7月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣248.27億元,連續(xù)十個(gè)月創(chuàng)新高;前七月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣1,603.04億元,年成長(zhǎng)37.75%。由于車(chē)用芯片毛利率高,雖然消費(fèi)類電子需求降溫,但車(chē)用芯片供應(yīng)仍吃緊,聯(lián)電車(chē)用認(rèn)證增加,有助抵抗半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度波動(dòng)。
對(duì)于車(chē)用布局報(bào)捷,聯(lián)電強(qiáng)調(diào),該公司營(yíng)運(yùn)規(guī)劃上,車(chē)用芯片確實(shí)是作為布局特殊制程的聚焦領(lǐng)域和主軸之一。以旗下28nm制程為例,除了原有的多晶硅氮氧化硅(Poly-SiON)制程外,高介電常數(shù)絕緣膜/金屬閘極(High-k/Metal gate)技術(shù)也已大量生產(chǎn),車(chē)用規(guī)格亦已完成品質(zhì)驗(yàn)證并提供相應(yīng)所需IP于平臺(tái)上。
據(jù)了解,聯(lián)電已拿下八大車(chē)用芯片領(lǐng)域關(guān)鍵認(rèn)證,涵蓋功率半導(dǎo)體、WiFi/藍(lán)牙等無(wú)線通訊應(yīng)用、毫米波雷達(dá)感測(cè)器(Radar sensor)、Auto AP、微控制器(MCU)、CIS感測(cè)器、OLED/LCD驅(qū)動(dòng)IC、MEMS傳感器等,幾乎所有車(chē)用芯片必備的認(rèn)證都已到手。
其中,功率半導(dǎo)體方面包括350/180/110nm的BCD制程、MOSFET及IGBT方面的350/180nm制程、RFCMOS(射頻互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體)的65/40/28nm制程。毫米波雷達(dá)傳感器則有40/28nm制程以及Logic /MS等,另外還有Auto AP的40/28nm制程。
微控制器應(yīng)用則有eNVM 110/55/40/28nm制程,CIS/ISP則90/65/40/55/40/28nm制程。顯示芯片則囊括180/80/55/40/28nm制程;微機(jī)電感測(cè)器則有350/180nm制程。
供應(yīng)鏈指出,聯(lián)電已取得英飛凌、恩智浦、德州儀器、微芯科技等車(chē)用芯片大廠大單,這些客戶在全球車(chē)用芯片市占總和超過(guò)三成,近期聯(lián)電也在爭(zhēng)取22nm相關(guān)車(chē)用認(rèn)證,全力強(qiáng)攻車(chē)用市場(chǎng)。由于車(chē)用芯片可靠度要大于15年,再加上零缺陷(Zero Defects)的要求,聯(lián)電獲得多家大廠新認(rèn)證,凸顯技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
外資大力推崇車(chē)電市場(chǎng)后市,預(yù)期車(chē)用電子可望扮演新一波利多主流。摩根士丹利最新報(bào)告,以“車(chē)用電子全速前進(jìn)”為題,看好車(chē)用電子市場(chǎng)至2025年年均復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)12%,遠(yuǎn)高于智能手機(jī)和PC/筆電僅3%的水準(zhǔn)。
摩根士丹利指出,2018年全球車(chē)用電子市場(chǎng)約1,500億美元,預(yù)估2025年爆發(fā)成長(zhǎng)至2,870億美元,主因電動(dòng)車(chē)滲透率持續(xù)提升,加上先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)使用率增加,預(yù)期2025年電動(dòng)車(chē)材料成本當(dāng)中,高達(dá)35%至45%為車(chē)用電子元件,是傳統(tǒng)汽車(chē)的2.5倍,整體車(chē)電需求成長(zhǎng)可期。
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