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6年,就追上三星、美光了?長江存儲232層存儲芯片來了

2022-08-03 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關(guān)鍵詞: 芯片 三星

眾所周知,在存儲芯片領(lǐng)域,三星、美光、SK海力士等幾大巨頭牢牢的控制著市場。這幾大巨頭,不僅市場份額非常高,同時技術(shù)很先進(jìn)。

而中國作為全球最大的芯片消費(fèi)市場,之前存儲芯片的份額接近于0,一直就是靠進(jìn)口,每年要付出大量外匯。

后來國內(nèi)成立了三大存儲芯片基地,長江存儲、福建晉華、長鑫存儲,想要打破國外壟斷,研發(fā)中國人自己的存儲芯片。

不過福建晉華被打壓,基本上就處于停滯狀態(tài)了,只有長江存儲專注于NAND閃存,長鑫存儲專注于DRAM內(nèi)存,并且這幾年發(fā)展迅速,實現(xiàn)了從0到1的突破,打破了國外的壟斷。

但從技術(shù)上來看,長江存儲也好,長鑫存儲也好,較國際先進(jìn)水平還是有一點(diǎn)距離的。

而昨天,長江存儲在2022年閃存峰會(FMS)上正式宣布,公司推出了基于晶棧?3.0(Xtacking?3.0)技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。

而按照業(yè)內(nèi)人士對這個閃存產(chǎn)品的分析,表示該3D NAND閃存堆疊層數(shù)或已達(dá)到了業(yè)界領(lǐng)先的232層。

232層是什么概念?美光在7月份的時候,才發(fā)布全球首款232層3D NAND芯片,并表示在年度底量產(chǎn)。

而SK海力士在今天才表示,他們研發(fā)出了238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品,于明年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

而長江存儲順利推出232層堆疊的X3-9070,意味著當(dāng)前國產(chǎn)存儲芯片,在NAND產(chǎn)品上,已成功追上業(yè)界頂尖水平。

長江存儲2016年才成立,僅6年時間就追了上來,憑的是什么?當(dāng)然是自研的Xtacking技術(shù)了,也稱之為“晶棧”技術(shù)。

通過Xtacking技術(shù),可以獲得更高的存儲密度,更低的成本。且長江存儲的Xtacking技術(shù)還發(fā)展到了第三代,一代比一代更強(qiáng),存儲密度更高。

對此,不知道大家怎么看?早幾天有媒體報道稱,美國擬禁止用于128層以上的半導(dǎo)體設(shè)備賣到中國大陸來,以便圍堵中國存儲芯片的發(fā)展。

現(xiàn)在232層的技術(shù)都推出來了,這個對128層設(shè)備的圍堵已經(jīng)不起作用了,接下來是不是要提升一下層數(shù)了,比如禁止232層技術(shù)以上的設(shè)備了?



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