近日，外媒爆料稱，中國大陸某一家晶圓廠，已經(jīng)實現(xiàn)了7nm芯片的制造。

當然，對于這則消息，很多網(wǎng)友是持懷疑態(tài)度的，因為至今為止，大陸的晶圓廠，都沒有能從ASML買到過EUV光刻機。

而在很多人的認識中，制造7nm及以下的芯片，必須使用EUV光刻機，所以這則消息是假的。

那么問題來了，不用EUV光刻機，就真的制造不出7nm這樣的芯片么？其實還真不是的，不用EUV光刻機，制造出7nm的芯片，甚至理論上來說，5nm芯片都是可行的。

大家回憶一下，2018年華為海思的麒麟980采用的是什么工藝？華為當時表示，這是全球首發(fā)臺積電7nm工藝的一款芯片。

而2019年，華為發(fā)布麒麟990時，表示這是臺積電第二代7nm工藝，是采用7nm EUV工藝，著重強調(diào)了EUV。

為什么第一代不強調(diào)下EUV，第二代才強調(diào)下？從這個細節(jié)可以看出來，臺積電長一代7nm，其實并沒有使用EUV工藝。

事實上，在7nm時，臺積電有3種工藝，分別是、N7、N7P、7nm EUV（N7+）。除了7nm EUV，另外兩種均是使用DUV。

為此，臺積電還專門開發(fā)了多重曝光技術，這個足以說明，不使用EUV光刻機，一樣是可以生產(chǎn)出7nm芯片了吧。

另外我還給大家上一個圖，這是5代光刻機的演進路線圖，DUV是指采用193nm波長的浸潤式光刻機，通過水的折射，最終波長縮短為134nm，NA值為1.35。

從圖上也可以看出來，DUV這種光刻機，在進行多重曝光后，可以實現(xiàn)7nm的光刻精度。

同時大家不知道的是，就算是當前的5nm、4nm芯片，臺積電和三星，也只是將EUV應用于少數(shù)層，而浸入式DUV也會用于部分層，在7nm以下，DUV和EUV仍是要聯(lián)合使用的。

所以沒有EUV光刻機，制造7nm芯片，并不是什么稀奇的事情。

甚至按著臺積電多重曝光技術的演進，用DUV制造5nm芯片，都是有可能的。只是多重曝光，會影響晶圓的良率，從而導致制造成本過高。

畢竟一旦良率過低，是沒法規(guī)模量產(chǎn)的，只能是試驗性的使用。所以如果某天有媒體報告大陸晶圓廠，實現(xiàn)了5nm芯片生產(chǎn)，大家也別太奇怪，這也是有可能的，只是大規(guī)模量產(chǎn)可能就不行了。