過去幾個月里，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)一直處在風(fēng)暴的中心。今年初先是傳出三星電子管理層決定針對半導(dǎo)體工藝的相關(guān)問題展開調(diào)查，接著又爆出了員工泄密事件，隨后先進制程的良品率和效能問題，導(dǎo)致高通和英偉達將新品訂單轉(zhuǎn)向臺積電（TSMC），近期的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于訂單流失，三星成為排名前十代工廠中唯一負增長企業(yè)。

最近三星的實際負責(zé)人李在镕前往歐洲，其中一項日程就是前往荷蘭的ASML，商討雙方未來的合作，以獲得更多的極紫外（EUV）光刻機。據(jù)韓聯(lián)社報道，預(yù)計三星將會在下周宣布3nm工藝量產(chǎn)，在新一代制程工藝的生產(chǎn)時間上搶先于臺積電。

三星將在3nm制程節(jié)點引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，與現(xiàn)有的FinFET相比，可實現(xiàn)30%的性能提升、50%的功耗降低、以及減少45%的面積。相比之下，臺積電的N3制程節(jié)點仍將使用FinFET，不過會引入FINFLEX技術(shù)，量產(chǎn)時間將會在今年下半年，有傳言稱是8月份。

在月初的歐洲之行結(jié)束后，李在镕就表示：

“第一是技術(shù)，第二是技術(shù)，第三也是技術(shù)。”

雖然三星已下定決心投入更多資金用于先進半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)，以求在未來數(shù)年內(nèi)趕超臺積電，不過前路依舊困難重重。多個消息渠道表明，即便三星搶先量產(chǎn)3nm工藝，也面臨缺乏客戶訂單的窘?jīng)r。Business Korea稱，三星將會在2025年量產(chǎn)2nm工藝，在下一代半導(dǎo)體工藝上與臺積電仍保持同步。