株洲高新區(qū)消息顯示，湖南德智新材料有限公司半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設(shè)，并預(yù)計在明年初投產(chǎn)。

據(jù)悉，德智新材料半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項目總投資約2.5億元，主要用于半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造，投產(chǎn)后年產(chǎn)值超1億元。

SiC刻蝕環(huán)是半導(dǎo)體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導(dǎo)體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。

湖南德智新材料有限公司是一家專業(yè)從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復(fù)合材料研發(fā)，生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。