據(jù) TheLec 報(bào)道，三星電子 2020 年開始在韓國(guó)平澤市建設(shè)的 P3 晶圓廠，將在下月開始設(shè)備的安裝，計(jì)劃在今年下半年建成。

 

三星平澤 P3 晶圓廠下月開始設(shè)備的安裝，是韓國(guó)媒體率先援引消息人士的透露報(bào)道的，設(shè)備的進(jìn)入及安裝將持續(xù)到 7 月份，較最初計(jì)劃的時(shí)間將提前 1 個(gè)月。

三星電子在平澤建設(shè)的 P3 工廠，占地 70 萬(wàn)平方米，將成為全球園區(qū)最大的晶圓廠，是三星電子 P2 工廠的 1.7 倍。當(dāng)然，工廠的投資也會(huì)相當(dāng)龐大，他們計(jì)劃未來(lái)幾年最少投資 30 萬(wàn)億韓元，最多則投資 50 萬(wàn)億韓元，也就是至少投資 240 億美元，最高投資 400 億美元。

從外媒的報(bào)道來(lái)看，三星電子平澤 P3 晶圓廠，規(guī)劃的是一座既生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，又生產(chǎn)邏輯芯片的工廠，率先投產(chǎn)的是 NAND 閃存，隨后是 DRAM，隨后是采用 3nm 工藝為其他廠商代工晶圓的生產(chǎn)線。

三星電子平澤 P3 晶圓廠率先開始生產(chǎn) NAND 閃存，也就意味著工廠設(shè)備的安裝，將從 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備開始，外媒在報(bào)道中是表示在 5 月份的第一個(gè)周就將開始安裝。

值得注意的是，三星電子的這一座工廠，將大量采用極紫外光刻機(jī)。外媒在報(bào)道中就提到，這一工廠的 NAND 閃存生產(chǎn)線，將采用極紫外光刻機(jī)生產(chǎn)第 7 代 176 層 V-NAND 閃存，為其他廠商代工晶圓的 3nm 工藝，也需要極紫外光刻機(jī)。