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三星內(nèi)存技術(shù)突然落后!決定中斷12nm DRAM芯片開發(fā):直上11nm

2022-04-15 來源:驅(qū)動(dòng)之家
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關(guān)鍵詞: 三星

三星不僅是世界第一大DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商,技術(shù)水平也是最先進(jìn)。


據(jù)BusinessKorea,三星要求研發(fā)人員停止1b工藝DRAM芯片的開發(fā),也就是跳過12nm,直接跨代到1c,即11nm。


三星設(shè)定了非常激進(jìn)的目標(biāo),即在今年6月完成并凍結(jié)11nm、第六代DRAM芯片的開發(fā)工作。


此前的說法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困難,搞不定。不過就最新的報(bào)道來看,似乎并非如此,當(dāng)然,最終實(shí)情如何,還得拿實(shí)物量產(chǎn)說話。


報(bào)道指出,三星此舉目的在于重新拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士、美光的技術(shù)差距,其原因在于1a DRAM芯片量產(chǎn)上,三星實(shí)際上落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。


事實(shí)上,這并非三星第一次在DRAM芯片上計(jì)劃“彎道超車”,當(dāng)年對(duì)手都在搞28nm DRAM時(shí),三星聚焦更先進(jìn)的25nm工藝,結(jié)果高風(fēng)險(xiǎn)最終促成高收益。




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