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intel的7nm芯片將量產,性能約等于臺積電5nm、三星3nm?

2022-04-15 來源:互聯網亂侃秀
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關鍵詞: 英特爾 光刻機 芯片

上周,英特爾位于愛爾蘭的Fab 34晶圓廠完成了第一臺EUV光刻機的安裝,而這也是歐洲首個具備EUV工藝的晶圓廠。

而按照intel的說法,Fab 34工廠將在下半年量產intel 4工藝,也就是7nm,比預計的時間可能會提前一點點。

為何intel要將7nm,命名為intel 4?很多網友表示,這是因為intel覺得自己的7nm,可以對標臺積電、三星的4nm工藝,所以搞了個4出來,從命名上扳回一局,掩蓋自己的工藝落后的尷尬局面。

那么intel的7nm究竟有多厲害?能不能與臺積電、三星的4nm相媲美?我們還是按照摩爾定律的基本原則來說一說。

摩爾定律里面關于芯片的性能,主要是以晶體管密度為基礎的,說是每18個月,晶體管密度就要翻一倍,所以我們也說晶體管密度這個指標,可能比較靠譜一點。

如上圖所示,英特爾的7nm工藝,其晶體管密度是1.8億個每平方毫米。

而臺積電的5nm工藝,其晶體管密度是1.73億個每平方毫米,說起來比intel的7nm還差一點。

至于臺積電的3nm工藝,晶體管密度則達到了2.9億個每平方毫米,與intel的5nm,也就是intel 3工藝差不多了。

再看看三星,5nm工藝時,晶體管密度是1.27億個每平方毫米,確實比不上英特爾的7nm。甚至三星的3nm時,其晶體管密度也只有1.7億個晶體管每平方毫米,比臺積電的5nm還遜色一點,自然也比不過英特爾的7nm了。

由此可見,英特爾拿7nm工藝來取個intel 4工藝,對標臺積電、三星的4nm是真的沒錯的。同樣類推,我們還可以得出intel 3工藝,其實是5nm工藝,對標的是臺積電的3nm。

其實過去的這幾年以來,很多人都說臺積電、三星的XXnm工藝造假,連高通曾經都這樣表示過,但對于芯片廠商們而言,更先進的工藝,更有噱頭,更有賣點,所以大家也都不介意它不是不造假了,甚至是大家一起努力將這個假的變成真的。

只有英特爾一直在遵循摩爾定律,最后倒讓大家認為它工藝落后了,所以將自己的工藝改名,讓大家看不出具體是XXnm來,也算是英特爾耍的一個“小聰明”。



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