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華為芯片堆疊封裝專利,到底是個啥?解決啥問題的?

2022-04-08 來源:互聯網亂侃秀
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關鍵詞: 華為 芯片

眾所周知,在華為的業績發布會上,當時的輪值董事長郭平說,華為要采用面積換性能,用堆疊換性能的方式,來解決芯片問題,使不那么先進的芯片,也能夠具有競爭力。

而前兩天,網上也被大家曬出了華為芯片堆疊封裝專利圖,可見采用堆疊換性能并不是亂說的,華為早就在做準備了。

但問題來了,網上曬出來的芯片堆疊封裝專利,到底是個啥,用來解決啥問題的?

先上專利圖,就是下面這張圖。而專利介紹中也進行了大量的說明,整個圖有4個核心組成部分。

從上至下分別是第一層走線結構、第一塊裸芯片(die)、第二塊裸芯片(die),第二層走線結構,就是講兩層走線結構,將兩塊裸芯片夾在中間。

然后華為的專利是,兩塊裸芯片不完全重疊,只有部分重疊,然后重疊的芯片部分相互連接,不重疊的芯片部分,再相互與走線結構連接,最終連接至一起,封裝成一塊芯片。

按照華為的說法,這樣可以解決因采用硅通孔技術而導致的成本高的問題。

那硅通孔技術,又是什么技術?其實也是3D堆疊芯片封裝的技術。它實現的方式是芯片完全重疊,然后芯片之間通過硅通孔結構來走線連接,再統一連接到一起后再與基板連接在一起,最后封裝成一塊整的芯片。

如上圖所示,這是4層 DRAM芯片堆疊時的示意圖,各芯片通過硅通孔連接在一起,最后再連接到基板上。

華為這個方案,其實是節省了很多的線路結構,理論上來看,工時也會少一些,這樣相對而言,成本更低一點。

當然,大家都是一種封裝的實現形式,且目前華為的這個專利對性能的提升,或者功耗控制、發熱等等,都沒有涉及到,其它方面所以不太清楚。

而華為目前也只是申請了一個這樣的專利,最終實際情況會如何,還得等這樣的封裝技術真正用于芯片之后,才能夠得知,很多專利其實最終也不一定會落地,所以我們先別激動,先拭目以待比較好。



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