7月1日消息，據(jù)報(bào)道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據(jù)介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu)，性能優(yōu)于臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)。

       此次流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的。此前，三星曾在2020年完成3nm工藝的開發(fā)，但開發(fā)成功并不意味著，不過那并不意味著三星的產(chǎn)品最終進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)間可以確定。伴隨著此次成功流片，三星3nm芯片大規(guī)模量產(chǎn)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)已經(jīng)正式臨近。

　　三星在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構(gòu)的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因?yàn)槿堑?nm制程采用不同于臺(tái)積電或英特爾所采用的FinFET的架構(gòu)，而是采用GAA的結(jié)構(gòu)。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

　   在技術(shù)性能上，GAA架構(gòu)的晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現(xiàn)在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA的溝道控制能力得以強(qiáng)化，借此給予尺寸進(jìn)一步微縮提供了可能性。