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我國氧化鎵外延生長技術取得重大突破,第四代半導體漸行漸近
第四代半導體再突破,我國團隊在 8 英寸硅片上制備出高質量氧化鎵外延片
我國成功制備6英寸氧化鎵單晶,第四代半導體正式“撒網”
第四代半導體雖潛力股眾多,但氧化鎵卻是“天賦型”選手,將與碳化硅同爭輝
力積電第四代半導體取得突破
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