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我國氧化鎵外延生長技術取得重大突破,第四代半導體漸行漸近
國內首個!6英寸氧化鎵單晶實現產業化!都有哪些優勢?
氧化鎵商業化腳步臨近,或將與碳化硅直接競爭
氮化鎵、氧化鎵量產最大難點竟是“生長”過程,國產“助長”技術已有突破
三菱電機入局最強半導體,氧化鎵將在10年后打敗第三代半導體
全方位對比分析,為什么氧化鎵才是迄今為止最好的芯片材料?
第四代半導體再突破,我國團隊在 8 英寸硅片上制備出高質量氧化鎵外延片
國內首批!銘鎵半導體實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破
我國成功制備6英寸氧化鎵單晶,第四代半導體正式“撒網”
第四代半導體雖潛力股眾多,但氧化鎵卻是“天賦型”選手,將與碳化硅同爭輝
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