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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GHCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝
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