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SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-TUCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

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SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-TFCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝

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SAMSUNG/三星內存芯片K4F2E3S4HA-TUCL 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

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BM04B-NSHSS-TBT(LF)(SN)

BM07B-PASS-TFT(LF)(SN)

S5B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

SM07B-GHS-TB(LF)(SN)

B6B-ZR-SM4-TF(LF)(SN)

SM07B-PASS-1-TBT(LF)(SN)

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4EBE304ED-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

B20B-PHDSS(LF)(SN)

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4E8E324ED-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4E6E304ED-EGCG 容量 16GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4EBE304EC-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

FH12-8S-0.5SH(55)

專業SAMSUNG/三星內存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝