LESD8LL3.3T5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：電流Ipp:4A 參數2：電壓VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.4pF 參數4：類型:Uni單向 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該靜電和浪涌保護器件支持4A的峰值脈沖電流（IPP），可有效吸收靜電放電及瞬態過電壓，提升電路可靠性。其反向工作電壓為3.3V（VRWM），適用于低電壓信號線路的防護場景。器件結電容為0.4pF，保持信號完整性的同時實現快速響應。采用單通道（LINE:1通道）單向（Uni-directional）設計，適用于對地反向電壓限制的應用需求，廣泛用于通信接口、消費類電子產品及高精度電子設備中，為敏感電路提供穩定保護。
