ESD56241D18-3/TR_DFN2X2-3L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2-3L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流Ipp:140A 參數2：電壓VRWM:18V 參數3：CJ:900pF 參數4：類型:Uni單向 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該靜電和浪涌保護器件適用于高精度電子系統，具備良好的瞬態電壓抑制能力。最大峰值脈沖電流IPP為140A，可有效應對靜電放電及外部浪涌沖擊；反向工作電壓VRWM為18V，適用于多種低壓電路的保護場景。器件結電容CJ為900pF，對信號完整性影響較小，適合用于數據傳輸接口防護。采用2通道設計，支持多路信號線同步保護，提升整體穩定性。單向（Uni）結構能防止反向電壓對敏感元件造成損害，廣泛應用于通信設備、便攜式儀器及消費類電子產品中，提供高效可靠的電路保護方案。
