IKW40N120CS6-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT模塊，具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，適合高電壓和較高電流環境下運行。在導通狀態下，集射極飽和電壓(VCE(sat))低至1.7V，有助于降低功率損耗并提高系統效率。內置二極管可承受40A的正向電流(IF)，其正向壓降(Vf)為1.85V，可在高頻開關和整流應用中提供穩定性能。該模塊適用于需要高效能、高可靠性的電力電子設備設計，如智能電網、新能源變換裝置及精密電機控制等領域。
