YGW40N120F2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高電壓和較高功率場合。集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導通損耗。內置二極管的正向電流（IF）為40A，正向壓降（Vf）為1.85V，性能穩定。該器件可廣泛用于能源、家電以及精密電力控制領域，提供高效可靠的開關與能量轉換能力。
