YGW50N65T1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT管/模塊具備集電極電流（Ic）50A與集射極擊穿電壓（Vces）650V的參數特性，適用于較高功率和電壓的應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗并提升整體效率。內部集成二極管支持正向電流（IF）50A，正向壓降（Vf）為1.85V，表現出良好的續流能力和穩定性。該器件適合用于電源變換、電機驅動等對性能和可靠性有較高要求的電子系統中。
