STGWA100H65DFB2-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:100A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.45V 參數4：二極管正向電流:1.55A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備100A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），可適用于較高功率的電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.45V，有助于減小導通損耗，提升整體能效。內置二極管支持100A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.55V，具備較強的續流能力與穩定性。該器件適合用于各類高效功率轉換設備中的開關控制與能量調節應用，參數設計兼顧性能與可靠性需求。
