IRGP4063DPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:50A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.65V 參數4:二極管正向電流:1.45A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT管/模塊具備集電極電流(Ic)50A與集射極擊穿電壓(Vces)650V的電氣特性,適用于中高功率的電子系統設計。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,在導通狀態下可有效控制能量損耗。內置二極管支持正向電流(IF)50A,正向壓降(Vf)低至1.45V,具備良好的續流性能和熱穩定性。該器件適合應用于電源轉換、電機控制及其他對效率與可靠性有較高要求的電路場景。
