IRGP4063DPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT管/模塊具備集電極電流（Ic）50A與集射極擊穿電壓（Vces）650V的電氣特性，適用于中高功率的電子系統設計。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，在導通狀態下可有效控制能量損耗。內置二極管支持正向電流（IF）50A，正向壓降（Vf）低至1.45V，具備良好的續流性能和熱穩定性。該器件適合應用于電源轉換、電機控制及其他對效率與可靠性有較高要求的電路場景。
