MSG75T65FQC_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:75A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備75A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于中高功率電子系統應用。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,在高頻開關操作中可有效降低導通損耗。內置二極管支持75A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,提供穩定的續流性能。模塊設計兼顧散熱效率與安裝便捷性,適合用于電源轉換、電機控制及智能電網設備中的高效能電路設計。
