MSG75T65FQC_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電子系統應用。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，在高頻開關操作中可有效降低導通損耗。內置二極管支持75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提供穩定的續流性能。模塊設計兼顧散熱效率與安裝便捷性，適合用于電源轉換、電機控制及智能電網設備中的高效能電路設計。
