STGWA40M120DF3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高電壓和較高功率場景。在導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，能夠有效降低導通損耗。內置二極管支持40A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.85V，表現出良好的能效特性。該器件適合用于需要穩定性和高效能的應用場合，如電力轉換與控制、節能設備及精密儀器等領域，為復雜電路提供可靠支持。
