MSG75T65HFC0_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.45A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具有50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于較高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管可支持50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.45V，具備良好的續(xù)流能力。模塊采用穩(wěn)定封裝工藝，適用于需要高效能開(kāi)關(guān)操作的電力電子設(shè)備，如電源轉(zhuǎn)換裝置、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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