MSG40T120FQC_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高功率密度電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在保證高耐壓能力的同時兼顧導通損耗控制。內置二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，具備良好的反向恢復特性與熱穩定性。模塊采用優化的封裝結構，便于集成與散熱，主要應用于高效能電源變換、智能電網設備及精密電機驅動裝置中，滿足對性能與可靠性要求較高的場景需求。
