STGWA75M65DF2-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導通損耗，提升整體能效。內置二極管可承受75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的反向恢復性能與穩定性。模塊采用通用封裝設計，便于安裝與散熱，廣泛應用于電源轉換、智能電網、精密電機控制等領域，滿足多種高性能電力電子設備的技術需求。
