IXYP15N65C3D1M-HXY_TO-220F_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：50/管裝 參數1：電流IC:15A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.79V 參數4：二極管正向電流:1.68A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備15A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子設備。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.79V，有助于降低導通損耗，提高系統效率。內置二極管可承受15A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.68V，提升了反向恢復性能與整體可靠性。該器件采用標準封裝設計，便于散熱與安裝，廣泛應用于電源轉換、電機控制及智能電網等領域，為高性能電力電子裝置提供了良好的技術支持。
