AFGHL40T65SPD-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備集電極電流（Ic）40A、集射極擊穿電壓（Vces）650V的額定參數，能夠滿足較高功率應用場景的需求。在導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗。內置續流二極管的正向電流（IF）為40A，正向壓降（Vf）為1.8V，性能穩定。該模塊適用于需要高效能與高可靠性的電力電子系統中，可廣泛用于電源變換、電機控制及能源管理等領域，提供穩定的開關和導通表現。
