NGTB35N65FL2WG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低導通損耗，提升整體能效。內置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，表現出良好的熱穩定性和導通性能。該器件適合用于對效率與可靠性有較高要求的電源轉換設備及控制電路，支持高頻開關操作，滿足復雜應用場景下的動態響應需求。
