NGTB50N65FL2WG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中功率電力電子應用。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置續流二極管可支持50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的反向恢復特性。該器件適合用于電源轉換、電機控制及能源管理系統，能夠在較高頻率下穩定工作，滿足對性能與可靠性有要求的應用場合。
