RGT00TS65DGC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.45A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為高性能IGBT管/模塊，具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），可支持較高功率應(yīng)用場景。在導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）僅為1.65V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可承受50A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.45V，表現(xiàn)出良好的能效特性。該器件適用于需要高效能、高穩(wěn)定性的電力電子系統(tǒng)，如能源轉(zhuǎn)換裝置及精密控制設(shè)備，提供可靠的開關(guān)與導(dǎo)通性能，滿足復(fù)雜電路對動態(tài)響應(yīng)和熱穩(wěn)定性的要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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