AOK50B65H1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率場合。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V，有助于降低導通損耗。內置二極管可承受50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的電流承載能力和熱穩定性。模塊采用標準封裝形式，便于安裝與散熱，適合用于電源轉換、電機控制及電力調節等應用場景，提供可靠且高效的電力電子解決方案。
