AOK50B65M2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊的集電極電流（Ic）為50A，集射極擊穿電壓（Vces）達650V，適用于中高功率電力電子設備。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，在導通狀態下可有效控制能量損耗。內置二極管的正向電流（IF）同樣支持50A，正向壓降（Vf）為1.45V，表現出良好的導電性能與熱穩定性。模塊設計符合標準封裝規范，便于安裝和散熱，適合用于電源轉換、電機控制及電力調節等多樣化場景，提供穩定高效的功率處理能力。
