IRG7PH46UD-EP-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和1200V集射極擊穿電壓（Vces），適用于高耐壓、大功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，在保證性能的同時降低了導通損耗。內置二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的熱穩定性與可靠性。該模塊設計緊湊，效率高，適合用于對功率密度和轉換效率有較高要求的電力電子系統中。
