NGTB40N120IHRWG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高功率、高電壓的應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導通損耗，提高系統效率。內置的續流二極管具備40A的正向電流（IF）能力和1.85V的正向壓降（Vf），在高頻開關和能量回饋場合表現穩定。模塊采用標準封裝設計，便于安裝與散熱，廣泛用于電源變換、新能源設備及精密電機控制等電力電子領域。
