RGS00TS65DHRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款IGBT管/模塊具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率需求的電力電子系統(tǒng)。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有助于降低導通損耗并提升整體效率。內(nèi)置二極管可支持50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.45V，進一步優(yōu)化了器件在高頻開關環(huán)境中的性能表現(xiàn)。該模塊在結構設計上兼顧熱穩(wěn)定性和電氣絕緣性，適合多種高要求場景下的功率轉(zhuǎn)換與控制應用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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