APT50GT120B2RDQ2G-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.7A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備50A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），可滿足較高功率需求的應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在導通狀態下能有效控制能量損耗。內部集成的二極管支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.7V，具備良好的導通性能。該器件適用于電力變換裝置、高效電機驅動及高頻電源系統等場合，為高可靠性開關應用提供技術支持。
