IXYR50N120C3D1-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.7A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備50A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，可穩(wěn)定工作于較高功率應(yīng)用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.9V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可支持50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為2.7V，提升了整體能效表現(xiàn)。該模塊適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換與穩(wěn)定性能的電力電子系統(tǒng)，如智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電以及高性能電源設(shè)備等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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