IXYH75N65C3H1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.6A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT管/模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），可支持中高功率電力轉(zhuǎn)換需求。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管可承受75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.6V，具備良好的電流承載與恢復特性。適用于各類高效能電源設備、儲能系統(tǒng)及智能電網(wǎng)相關裝置，滿足對穩(wěn)定性與效率的高標準要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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