YGW75N65F1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置續(xù)流二極管的正向電流（IF）同樣支持75A，正向壓降（Vf）為1.85V，提升了整體能效表現(xiàn)。模塊采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，便于安裝與散熱管理，適合用于電源變換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高性能電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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