IRG8P50N120KD-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，可適應(yīng)較高功率密度的應(yīng)用需求。其集射極飽和電壓(VCE(sat))低至1.7V，有效減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。內(nèi)部二極管支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，進(jìn)一步提升系統(tǒng)整體效率。該模塊適合應(yīng)用于高效能電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度電源控制等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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