IRG8P60N120KD-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，可穩定工作于較高功率應用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V，有助于降低導通損耗。內置二極管可支持40A正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，提升了整體能效表現。該模塊適用于需要高效能量轉換與穩定性能的電力電子系統中，提供可靠的開關與續流功能。
