RJH1CV7DPQ-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），可適應較高功率密度的設計需求。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導通狀態下的功率損耗。內部續流二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了整體能效與可靠性。適用于多種電力電子變換系統，滿足高效、穩定工作的技術要求。
