NGTB30N135IHRWG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:30A 參數2：電壓VCE:1350V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有30A的集電極電流（Ic）和1350V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高電壓等級的功率應用環境。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有效控制導通損耗。內置續流二極管支持30A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升系統能效表現。模塊設計符合標準封裝規范，便于安裝與散熱管理，適用于電源變換、電機控制等高性能電力電子系統方案。
