XD040Q120AT1S3_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊主要參數包括：集電極電流（Ic）為40A，集射極擊穿電壓（Vces）達1200V，具備較高的耐壓與載流能力；集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導通損耗。內置續流二極管的正向電流（IF）為40A，正向壓降（Vf）為1.85V，支持高效能功率轉換。適用于各類高性能電源變換裝置、智能控制設備及新能源系統中的功率開關應用。
