SGT40N60FD2P7_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效減少導通損耗，提升系統效率。內部二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，表現出良好的熱穩定性和導通性能。該器件適合應用于電源轉換、電機控制及高效能電子設備中，滿足對可靠性和性能的嚴苛要求。
